一种自带温度监测功能的GaN功率器件

作者：刘扬 | 张珂 | 张津玮

申请者：中山大学

发明人：刘扬 | 张珂 | 张津玮

地址：510275 广东省广州市海珠区新港西路135号 年：2022,

语种：汉语

公开国家：CN 国家：中国 省份：CN

专利申请号：CN202220635840.5 专利申请日期：2022-03-22

公开(公告)号：216928598U 公开日期：2022-07-08 国际申请日期：2022-03-22

分类号：H01L29/20(2006.01) 国际主分类号：H01L-29/20 国际分类号：H01L29/20(2006.01);H01L29/778(2006.01);H01L23/64(2006.01)

法律状态：有效

摘要： 本实用新型涉及光半导体技术领域，更具体地，涉及一种自带温度监测功能的GaN功率器件。由下至上依次包括：衬底层、缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层、钝化层以及外延生长的GaN功率器件和温度传感器;在所述的温度传感器与GaN功率器件之间还设有中间隔离带。本实用新型在功率器件内集成一个温度传感器，不仅可以升器件以及系统的可靠性，温度测试的准确性，而且可以克服传统外置传感器实时性差的缺点。