我国氮化镓蓝光半导体激光器成功实现室温连续激射

近日，中国科学院半导体研究所的一个研究团队宣布：室温连续激射的氮化镓半导体蓝光激光器研制成功。这是继2004年11月16日氮化镓激光器首次在中国大陆实现脉冲激射后的又一个重大进展，标志着我国氮化镓（GaN）基蓝光半导体激光器研究向产品化、产业化方向有迈出了*为关键的、坚实的一大步。

这次室温连续激射GaN激光器研制成功是半导体所的科研人员在克服高质量GaN材料外延生长、激光器制造工艺和激光器测试方法等方面的多重困难的基础上实现的。早在2007年2月初，科研人员就已经在低温环境下观测到了GaN蓝光激光器的连续激射。本着严谨、务实的科学精神，在杨辉研究员的领导和指挥下，科研人员又在激光器腔面解理和镀膜、激光器热沉设计和制作、激光器倒装以及激光器测试手段的完善和提高等方面做了大量细致入微的工作。终于，GaN蓝光激光器在半导体所科研人员的辛勤培育下绽放出了绮丽的蓝色的笑靥，发射出中国大陆上**束连续的、稳定的蓝色光束。

因为在高清显示和视频用的高密度光学存储、光学传感以及医疗等方面有诸多应用前景，GaN激光器多年来一直倍受各个国家关注。由青年科学家杨辉研究员和资深半导体激光器专家陈良惠院士领导的这个研究团队在“十五”期间得到国家863计划的重点支持，于2002年承担了国家863重大项目“氮化镓基激光器（GaN—LD）”，白手起家开始GaN蓝光激光器的攻关研发。经过两年多的艰苦努力于2004年11月16日实现了蓝宝石衬底上GaN蓝光激光器的脉冲激射，引起了业界人士和相关部门领导的广泛关注。为此，半导体所相关科研团队也获得了863计划进一步的经费支持。

中国科学院领导对此也非常重视，专门批示：“Blue Laser很有发展前景，向半导体所的同志们表示祝贺！并希望把这项工作进一步做好、做深、做稳定，尽快向应用方面推进”。在院领导的协调下，相关部门把这个项目转化成了中国科学院知识创新工程重要方向性项目，给予大力支持。室温连续激射GaN蓝光激光器的研制成功就是在中科院知识创新工程的大力支持下结出的又一个硕果。