VON DIELEKTRISCHEN FINNEN UND ABSTANDSHALTERN BEGR

作者：Wang, Chih-Hao | Ching, Kuo-Cheng | Cheng, Kuan-Lun

发明人：Wang, Chih-Hao | Ching, Kuo-Cheng | Cheng, Kuan-Lun

所有人：Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. 年：2021,

语种：英语

公开国家：DE 国家：德国

专利申请号：DE102017012299-7 专利申请日期：2017-11-08

公开(公告)号：DE-102017012299-B3 公开日期：2021-02-11

优先权号：US62-5525232017-08-31 | US15-8002872017-11-01

分类号：H01L-29/78 国际主分类号：H01L-29/78 国际分类号：H01L-29/78 | H01L-21/336 | H01L-21/762

摘要：Eine Halbleiterstruktur weist Folgendes auf: ein Substrat; eine erste Halbleiterfinne, die sich von dem Substrat nach oben erstreckt; eine Trennstruktur über dem Substrat und auf Seitenwänden der ersten Halbleiterfinne; ein erstes epitaxiales Strukturelement über der ersten Halbleiterfinne; eine dielektrische Finne, die teilweise in der Trennstruktur eingebettet ist und sich über die Trennstruktur nach oben vorsteht; und ein erstes und ein zweites Abstandshalterelement über der Trennstruktur. Das erste Abstandshalterelement ist seitlich zwischen dem ersten epitaxialen Strukturelement und der dielektrischen Finne angeordnet, und das erste epitaxiale Strukturelement ist seitlich zwischen dem ersten und dem zweiten Abstandshalterelement angeordnet. Außerdem werden Verfahren zur Herstellung der Halbleiterstruktur offenbart.